IRFR1205TRPBF vs IRFR120NTRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR1205TRPBF מאת Infineon ו IRFR120NTRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR1205TRPBF IRFR120NTRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A 9.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC 16.7 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
מארז TO-252AA (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant (PBF suffix = lead-free) Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 210 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 48 W
טווח טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +175C
Avalanche Energy Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free Finish — Yes (Pb-free)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר