K4B4G1646D-BCK0 vs MT41K256M16TW-107 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BCK0 tarafından Samsung Electronics ve MT41K256M16TW-107 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646D-BCK0 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $14,10 |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Veri Hızı | 1600 Mbps per pin | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| CAS Gecikme | 11 (programmable) | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| Paket | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (8x14 mm) |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to 95°C (Tc) | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Bellek Boyutu | — | 4 Gbit |
| Arayüz | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Besleme Gerilimi | — | 1.35 V |
| Veri Bus Genişliği | — | 16 bit |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| RoHS Durumu | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |