K4B4G1646D-BCK0 vs MT41K256M16TW-107 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BCK0 بذریعہ Samsung Electronics اور MT41K256M16TW-107 بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BCK0 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $14.10 |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 Mbps per pin | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| CAS لیٹنسی | 11 (programmable) | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (8x14 mm) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to 95°C (Tc) | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| میموری سائز | — | 4 Gbit |
| انٹرفیس | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.35 V |
| ڈیٹا بس چوڑائی | — | 16 bit |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| RoHS اسٹیٹس | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |