K4RAH086VB-BCWM vs K4RBH086VB-BCQK Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4RAH086VB-BCWM tarafından Samsung Electronics ve K4RBH086VB-BCQK tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4RAH086VB-BCWM K4RBH086VB-BCQK
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori DRAM Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) $44,55 —
Bellek Türü DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Bellek Boyutu 16 Gb —
Organizasyon 2G x 8 2G x 8
Veri Hızı 5600 Mbps 4800 Mbps
Besleme Gerilimi 1.1 V —
Arayüz DDR5 (parallel) DDR5 (CA bus, ODECC)
Paket FBGA-82 FBGA-82
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology DRAM (volatile) —
Speed Grade BCWM —
İşletim Sıcaklığı Commercial temperature range (per datasheet) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
ECC On-die ECC —
Burst Length 32 (BL32, DDR5 standard) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Yaşam Döngüsü Durumu Active —
Sub-channel Architecture Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) —
Density — 16 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
On-die ECC — Yes
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps]
Power Supply Rails — VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module)
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Packaging — [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin