K4RAH086VB-BCWM vs K4RBH086VB-BCQK مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4RAH086VB-BCWM توسط Samsung Electronics و K4RBH086VB-BCQK توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4RAH086VB-BCWM | K4RBH086VB-BCQK |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| اندازه حافظه | 16 Gb | — |
| سازمان | 2G x 8 | 2G x 8 |
| نرخ داده | 5600 Mbps | 4800 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | 1.1 V | — |
| رابط | DDR5 (parallel) | DDR5 (CA bus, ODECC) |
| بسته‌بندی | FBGA-82 | FBGA-82 |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | DRAM (volatile) | — |
| Speed Grade | BCWM | — |
| دمای کاری | Commercial temperature range (per datasheet) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| وضعیت چرخه عمر | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| On-die ECC | — | Yes |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] |
| Power Supply Rails | — | VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] |