M29F160FB55N3F2 vs M29F800FB55N3F2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F160FB55N3F2 tarafından Micron Technology ve M29F800FB55N3F2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FB55N3F2 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | M29F160FB55N3F2 | M29F800FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Obsolete | Aktif |
| Bellek Türü | Parallel NOR Flash | — |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | — |
| Organizasyon | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits | 1M x 8 / 512K x 16 |
| Number of Words | 1000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Besleme Gerilimi | 5 V | 5 V |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | Bottom Boot Block |
| İşletim Sıcaklığı | -40 to +125 C | -40C to +125C |
| Arayüz | Parallel | — |
| Package Type | 48-TSOP | 48-pin TSOP1 |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination Finish | Lead-free (F2 suffix) | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | Embedded byte/word program algorithms |
| Block Protection | Hardware boot block protection | — |
| RoHS Durumu | Compliant (lead-free) | Compliant (lead-free terminations) |
| Speed Grade (from MPN) | 55 (55 ns) | — |
| Memory Density | — | 8389 kbits (8 Mbit) |
| Arayüz Türü | — | Parallel NOR |
| Temperature Grade | — | Automotive (AEC-Q100) |
| Package Shape | — | Rectangular (JESD designation TSOP1) |
| Terminal Count | — | 48 |
| JESD-609 Termination Code | — | e3 (lead-free) |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |