1EDN7136UXTSA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1EDN7136UXTSA1 بذریعہ Infineon اور 2ED21064S06JXUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 1EDN7136UXTSA1 2ED21064S06JXUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فنکشن High-side / Low-side gate driver IC High-Side and Low-Side Gate Driver
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
آؤٹ پٹس کی تعداد 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A —
Peak Sink Current 2 A —
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40 C to +150 C —
پیکیج TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant ROHS3 Compliant
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes (per Infineon product family convention) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Configuration — Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
ٹوپولوجی — High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typical) — 100 ns
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40C to +125C
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں