1EDN7136UXTSA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDN7136UXTSA1 توسط Infineon و 2ED21064S06JXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 1EDN7136UXTSA1 2ED21064S06JXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد High-side / Low-side gate driver IC High-Side and Low-Side Gate Driver
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
تعداد خروجی‌ها 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A —
Peak Sink Current 2 A —
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
محدوده دمای کاری -40 C to +150 C —
بسته‌بندی TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes (per Infineon product family convention) —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Configuration — Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
توپولوژی — High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typical) — 100 ns
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
دمای کاری — -40C to +125C
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت