1EDN7136UXTSA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7136UXTSA1 מאת Infineon ו 2ED21064S06JXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | 1EDN7136UXTSA1 | 2ED21064S06JXUMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| פונקציה | High-side / Low-side gate driver IC | High-Side and Low-Side Gate Driver |
| Driven Device Type | GaN HEMT, N-channel MOSFET | — |
| מספר יציאות | 2 (high-side and low-side) | — |
| Peak Source Current | 1 A | — |
| Peak Sink Current | 2 A | — |
| Driver Supply Voltage (Max) | 200 V | — |
| Logic Supply Voltage (VCC) | [DATA_NEEDED: VCC range] | — |
| Input Type | Truly Differential Input (TDI) | — |
| Active Miller Clamp | Yes (integrated) | — |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | Yes (driver supply and logic input) | — |
| Propagation Delay (Typ) | [DATA_NEEDED: propagation delay value] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40 C to +150 C | — |
| מארז | TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) | PG-DSO-14 (14-pin SOIC) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Compliant | ROHS3 Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes (per Infineon product family convention) | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 outputs, non-inverting) |
| טופולוגיה | — | High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode |
| Maximum Offset / Boot Voltage | — | 650 V |
| Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Source Current (typical) | — | 0.29 A |
| Sink Current (typical) | — | 0.7 A |
| Rise Time (typical) | — | [DATA_NEEDED: rise time] |
| Fall Time (typical) | — | [DATA_NEEDED: fall time] |
| Propagation Delay (typical) | — | 100 ns |
| Channel-to-Channel Delay Match | — | [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match] |
| Under-Voltage Lockout | — | Yes (both channels) |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Input Logic Compatibility | — | 3.3 V / 5 V CMOS |
| טמפרטורת פעולה | — | -40C to +125C |
| Negative Gate Drive Robustness | — | -0.7 V |