1EDN7136UXTSA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7136UXTSA1 بواسطة Infineon و 2ED21064S06JXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDN7136UXTSA1 2ED21064S06JXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة High-side / Low-side gate driver IC High-Side and Low-Side Gate Driver
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
عدد المخارج 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A —
Peak Sink Current 2 A —
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +150 C —
العلبة TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes (per Infineon product family convention) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Configuration — Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
البنية الطوبولوجية — High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typical) — 100 ns
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر