IPD60R385CPATMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD60R385CPATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD60R145CFD7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD60R385CPATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CP (5th generation) CoolMOS CFD7
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +150 °C —
پیکیج / کیس PG-TO252-3 (DPAK) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab)
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Technology — CoolMOS CFD7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 16 A (T<sub>C</sub> = 25C)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 145 mOhm
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 83 W (T<sub>C</sub> = 25C)
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max]
پیکیج — TO-252AA (DPAK) surface mount
Body Diode — Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>)
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C (junction)
Target Application — ZVS / LLC resonant converters, soft switching

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں