IPD60R385CPATMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD60R385CPATMA1 מאת Infineon ו IPD60R145CFD7ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPD60R385CPATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CP (5th generation) CoolMOS CFD7
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +150 °C —
מארז / Case PG-TO252-3 (DPAK) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab)
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) 3 (Gate, Drain, Source)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Technology — CoolMOS CFD7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 16 A (T<sub>C</sub> = 25C)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 145 mOhm
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 83 W (T<sub>C</sub> = 25C)
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max]
מארז — TO-252AA (DPAK) surface mount
Body Diode — Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>)
טמפרטורת פעולה — -55C to +150C (junction)
Target Application — ZVS / LLC resonant converters, soft switching

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר