IPD60R385CPATMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD60R385CPATMA1 توسط Infineon و IPD60R145CFD7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD60R385CPATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CP (5th generation) CoolMOS CFD7
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
دمای اتصال کاری -55 °C to +150 °C —
بسته‌بندی / کیس PG-TO252-3 (DPAK) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab)
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) 3 (Gate, Drain, Source)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Technology — CoolMOS CFD7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 16 A (T<sub>C</sub> = 25C)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 145 mOhm
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 83 W (T<sub>C</sub> = 25C)
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max]
بسته‌بندی — TO-252AA (DPAK) surface mount
Body Diode — Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>)
دمای کاری — -55C to +150C (junction)
Target Application — ZVS / LLC resonant converters, soft switching

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت