IPD60R385CPATMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD60R385CPATMA1 bằng Infineon và IPD60R145CFD7ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPD60R145CFD7ATMA1 - 600V 16A 145mOhm CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPD60R145CFD7ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD60R385CPATMA1 | IPD60R145CFD7ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS™ CP (5th generation) | CoolMOS CFD7 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 600 V | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 9 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 27 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 83 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Gate Charge (Qg) | 18 nC (typ) | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 °C to +150 °C | — |
| Hộp / Vỏ | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) |
| Số chân | 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Technology | — | CoolMOS CFD7 (superjunction) |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | — | 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | — | 145 mOhm |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) |
| Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | — | [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] |
| Hộp | — | TO-252AA (DPAK) surface mount |
| Body Diode | — | Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C (junction) |
| Target Application | — | ZVS / LLC resonant converters, soft switching |