K4A4G165WD-BCTD vs H5AN4G6NBJR-UHC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WD-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور H5AN4G6NBJR-UHC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G165WD-BCTD | H5AN4G6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.14 V to 1.26 V |
| Core Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| انٹرفیس | SSTL-12 | — |
| Data Mask | Yes (DM per byte lane) | — |
| Bank Architecture | 16 banks / 4 bank groups | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA | FBGA-96 (PBGA-96) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C (commercial) | -40C to +95C |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | Yes (external RZQ resistor) | Yes |
| CRC / CA Parity | CRC read/write support | — |
| Reset | Asynchronous reset (RESET_n) | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| میموری سائز | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Technology | — | CMOS |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | — | Yes (DM) |
| Asynchronous Reset | — | Yes (RESET_n) |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes (command/address CRC) |