K4A8G165WG-BCWE vs MT40A512M16AD-062E موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WG-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور MT40A512M16AD-062E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G165WG-BCWE K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G165WG-BCWE ✓ فعال
Micron Technology
MT40A512M16AD-062E MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron

MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron

MT40A512M16AD-062E ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WG-BCWE MT40A512M16AD-062E
برانڈ Samsung Electronics Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $35.98 —
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gbit 8 Gbit
Memory Organization 512M x 16 —
انٹرفیس Parallel Parallel (POD)
Max Data Rate 3200 Mbps/pin —
Clock Cycle Time 19 ns —
سپلائی وولٹیج 1.2 V [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)]
پیکیج FBGA-96 (BGA-96), surface mount 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm)
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +85C (commercial) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Auto/self refresh per DDR4 standard —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Manufacturer Samsung Semiconductor, Inc. —
Product Status Active —
Typical Standby Current 20 mA (per LCSC listing) —
Die Generation Samsung B-die, 8Gb DDR4 x16 —
تنظیم — 512M x 16
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time (Row Cycle) — 19 ns
Automotive Qualification — AUT:E (automotive variant)
Speed Grade — -062E
Prefetch Architecture — 8n with bank groups
HS Code (USHTS) — 8542320071
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: reel quantity]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں