K4A8G165WG-BCWE vs MT40A512M16AD-062E So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G165WG-BCWE bằng Samsung Electronics và MT40A512M16AD-062E bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WG-BCWE ✓ Hoạt độngMicron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G165WG-BCWE | MT40A512M16AD-062E |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | $35,98 | — |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Giao diện | Parallel | Parallel (POD) |
| Max Data Rate | 3200 Mbps/pin | — |
| Clock Cycle Time | 19 ns | — |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] |
| Hộp | FBGA-96 (BGA-96), surface mount | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) |
| Nhiệt độ hoạt động | 0C to +85C (commercial) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | Auto/self refresh per DDR4 standard | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor, Inc. | — |
| Product Status | Active | — |
| Typical Standby Current | 20 mA (per LCSC listing) | — |
| Die Generation | Samsung B-die, 8Gb DDR4 x16 | — |
| Tổ chức | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time (Row Cycle) | — | 19 ns |
| Automotive Qualification | — | AUT:E (automotive variant) |
| Speed Grade | — | -062E |
| Prefetch Architecture | — | 8n with bank groups |
| HS Code (USHTS) | — | 8542320071 |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: reel quantity] |