1EDN7116GXTMA1 vs 2EDN7534RXTMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7116GXTMA1 بواسطة Infineon و 2EDN7534RXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 1EDN7116GXTMA1 | 2EDN7534RXTMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| الوظيفة | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs | Low-side gate driver |
| Driver Configuration | Non-inverting, single low-side | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| Peak Source Current | 2 A (typ) | — |
| Peak Sink Current | 4 A (typ) | — |
| Input Type | Truly Differential Input (TDI) | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 5.5 V | 4.5 V to 20 V |
| Switch-Node Blocking Voltage | 200 V (max) | — |
| Propagation Delay (Typ) | 9 ns | — |
| Rise Time (Typ) | 3 ns | — |
| Fall Time (Typ) | 3 ns | — |
| Quiescent Current (Typ) | 0.6 mA | — |
| Miller Clamp | Integrated, active | — |
| UVLO | Yes (VCC and gate-rail monitored) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40 °C to +125 °C | — |
| العلبة | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) | PG-TSSOP-8 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | MSL3 | 1 (unlimited) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Target Switch Technology | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET | — |
| Number of Channels | — | 2 |
| Peak Output Current (source/sink) | — | 5 A / 5 A |
| Propagation Delay (typ) | — | 19 ns |
| Input Logic Compatibility | — | LV-TTL |
| Input Voltage Tolerance | — | -12 V to +22 V (absolute max) |
| تكوين الخرج | — | Non-inverting |
| Output Resistance (Ron) | — | <1 ohm (typ) |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | — | Yes |
| درجة حرارة التشغيل | — | -40C to +125C |
| Lead-Free | — | Yes |