1EDN7116GXTMA1 vs 2EDN7534RXTMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1EDN7116GXTMA1 द्वारा Infineon और 2EDN7534RXTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
2EDN7534RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon | PG-TSSOP-8
2EDN7534RXTMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | 1EDN7116GXTMA1 | 2EDN7534RXTMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| फ़ंक्शन | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs | Low-side gate driver |
| Driver Configuration | Non-inverting, single low-side | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| Peak Source Current | 2 A (typ) | — |
| Peak Sink Current | 4 A (typ) | — |
| Input Type | Truly Differential Input (TDI) | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 5.5 V | 4.5 V to 20 V |
| Switch-Node Blocking Voltage | 200 V (max) | — |
| Propagation Delay (Typ) | 9 ns | — |
| Rise Time (Typ) | 3 ns | — |
| Fall Time (Typ) | 3 ns | — |
| Quiescent Current (Typ) | 0.6 mA | — |
| Miller Clamp | Integrated, active | — |
| UVLO | Yes (VCC and gate-rail monitored) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40 °C to +125 °C | — |
| पैकेज | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) | PG-TSSOP-8 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | MSL3 | 1 (unlimited) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Target Switch Technology | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET | — |
| Number of Channels | — | 2 |
| Peak Output Current (source/sink) | — | 5 A / 5 A |
| Propagation Delay (typ) | — | 19 ns |
| Input Logic Compatibility | — | LV-TTL |
| Input Voltage Tolerance | — | -12 V to +22 V (absolute max) |
| आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन | — | Non-inverting |
| Output Resistance (Ron) | — | <1 ohm (typ) |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | — | Yes |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40C to +125C |
| Lead-Free | — | Yes |