1EDN7116GXTMA1 vs 2EDN7534RXTMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7116GXTMA1 מאת Infineon ו 2EDN7534RXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
2EDN7534RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon | PG-TSSOP-8
2EDN7534RXTMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | 1EDN7116GXTMA1 | 2EDN7534RXTMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| פונקציה | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs | Low-side gate driver |
| Driver Configuration | Non-inverting, single low-side | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| Peak Source Current | 2 A (typ) | — |
| Peak Sink Current | 4 A (typ) | — |
| Input Type | Truly Differential Input (TDI) | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 5.5 V | 4.5 V to 20 V |
| Switch-Node Blocking Voltage | 200 V (max) | — |
| Propagation Delay (Typ) | 9 ns | — |
| Rise Time (Typ) | 3 ns | — |
| Fall Time (Typ) | 3 ns | — |
| Quiescent Current (Typ) | 0.6 mA | — |
| Miller Clamp | Integrated, active | — |
| UVLO | Yes (VCC and gate-rail monitored) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40 °C to +125 °C | — |
| מארז | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) | PG-TSSOP-8 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | MSL3 | 1 (unlimited) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Target Switch Technology | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET | — |
| Number of Channels | — | 2 |
| Peak Output Current (source/sink) | — | 5 A / 5 A |
| Propagation Delay (typ) | — | 19 ns |
| Input Logic Compatibility | — | LV-TTL |
| Input Voltage Tolerance | — | -12 V to +22 V (absolute max) |
| תצורת מוצא | — | Non-inverting |
| Output Resistance (Ron) | — | <1 ohm (typ) |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | — | Yes |
| טמפרטורת פעולה | — | -40C to +125C |
| Lead-Free | — | Yes |