1EDN7116GXTMA1 vs 2EDN7534RXTMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1EDN7116GXTMA1 بذریعہ Infineon اور 2EDN7534RXTMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 1EDN7116GXTMA1 2EDN7534RXTMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فنکشن Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs Low-side gate driver
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) —
Peak Sink Current 4 A (typ) —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V 4.5 V to 20 V
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40 °C to +125 °C —
پیکیج PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) PG-TSSOP-8
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول MSL3 1 (unlimited)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Number of Channels — 2
Peak Output Current (source/sink) — 5 A / 5 A
Propagation Delay (typ) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V (absolute max)
آؤٹ پٹ کنفیگریشن — Non-inverting
Output Resistance (Ron) — <1 ohm (typ)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40C to +125C
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں