1EDN7116GXTMA1 vs 2EDN7534RXTMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci 1EDN7116GXTMA1 disebabkan oleh Infineon dan 2EDN7534RXTMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr 1EDN7116GXTMA1 2EDN7534RXTMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Fungsi Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs Low-side gate driver
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) —
Peak Sink Current 4 A (typ) —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V 4.5 V to 20 V
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) —
Gambaran Suhu Operasi -40 °C to +125 °C —
Kemasan PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) PG-TSSOP-8
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Aras MSL MSL3 1 (unlimited)
Status RoHS Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Number of Channels — 2
Peak Output Current (source/sink) — 5 A / 5 A
Propagation Delay (typ) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V (absolute max)
Konfigurasi Output — Non-inverting
Output Resistance (Ron) — <1 ohm (typ)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Suhu Operasi — -40C to +125C
Lead-Free — Yes

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga