1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7511BXUSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7126GXTMA1 بواسطة Infineon و 1EDN7511BXUSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 1EDN7126GXTMA1 | 1EDN7511BXUSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| الوظيفة | Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET | — |
| Configuration | Non-Inverting | Inverting, Non-Inverting |
| Channel Type | Single | — |
| Driven Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VCC max value] | — |
| Peak Source Current | 1.5 A | 4 A |
| Peak Sink Current | 1.5 A | 8 A |
| Common-Mode Voltage (CMR) | 200 V | — |
| Input Type | Truly Differential Input (TDI) | — |
| Propagation Delay (Typ.) | [DATA_NEEDED: tpd typical value] | — |
| Rise / Fall Time (Typ.) | [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | -40 C to +150 C |
| العلبة | PG-VSON-10-4 | PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (SMD/SMT) |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Reach | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Input Logic Compatibility | 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) | TTL / CMOS |
| Driver Type | — | Low-Side, Single Channel |
| Number of Drivers | — | 1 |
| عدد المخارج | — | 1 |
| زمن الصعود | — | [DATA_NEEDED: rise time ns] |
| زمن السقوط | — | 4.5 ns |
| Propagation Delay | — | ±5 ns (matched) |
| جهد التغذية التشغيلي | — | [DATA_NEEDED: VCC range V] |
| UVLO Protection | — | Yes (integrated) |
| Output Stage | — | True low-impedance complementary rail-to-rail |
| Packaging | — | Cut Tape (Tape & Reel available) |