1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7511BXUSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7126GXTMA1 מאת Infineon ו 1EDN7511BXUSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDN7126GXTMA1 1EDN7511BXUSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting Inverting, Non-Inverting
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A 4 A
Peak Sink Current 1.5 A 8 A
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40 C to +150 C
מארז PG-VSON-10-4 PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) TTL / CMOS
Driver Type — Low-Side, Single Channel
Number of Drivers — 1
מספר יציאות — 1
זמן עלייה — [DATA_NEEDED: rise time ns]
זמן ירידה — 4.5 ns
Propagation Delay — ±5 ns (matched)
מתח אספקה פעיל — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (integrated)
Output Stage — True low-impedance complementary rail-to-rail
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel available)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר