1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7511BXUSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDN7126GXTMA1 tarafından Infineon ve 1EDN7511BXUSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDN7126GXTMA1 1EDN7511BXUSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Fonksiyon Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting Inverting, Non-Inverting
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A 4 A
Peak Sink Current 1.5 A 8 A
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40C to +125C -40 C to +150 C
Paket PG-VSON-10-4 PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) TTL / CMOS
Driver Type — Low-Side, Single Channel
Number of Drivers — 1
Çıkış Sayısı — 1
Artış Süresi — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Düşüş Süresi — 4.5 ns
Propagation Delay — ±5 ns (matched)
İşletim Besleme Gerilimi — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (integrated)
Output Stage — True low-impedance complementary rail-to-rail
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel available)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin