1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7511BXUSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDN7126GXTMA1 توسط Infineon و 1EDN7511BXUSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 1EDN7126GXTMA1 1EDN7511BXUSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting Inverting, Non-Inverting
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A 4 A
Peak Sink Current 1.5 A 8 A
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
محدوده دمای کاری -40C to +125C -40 C to +150 C
بسته‌بندی PG-VSON-10-4 PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) TTL / CMOS
Driver Type — Low-Side, Single Channel
Number of Drivers — 1
تعداد خروجی‌ها — 1
زمان صعود — [DATA_NEEDED: rise time ns]
زمان افت — 4.5 ns
Propagation Delay — ±5 ns (matched)
ولتاژ تغذیه کاری — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (integrated)
Output Stage — True low-impedance complementary rail-to-rail
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel available)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت