1EDN7511BXUSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7511BXUSA1 بواسطة Infineon و 1EDN7126GXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 1EDN7511BXUSA1 | 1EDN7126GXTMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Driver Type | Low-Side, Single Channel | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| عدد المخارج | 1 | — |
| Configuration | Inverting, Non-Inverting | Non-Inverting |
| Peak Source Current | 4 A | 1.5 A |
| Peak Sink Current | 8 A | 1.5 A |
| زمن الصعود | [DATA_NEEDED: rise time ns] | — |
| زمن السقوط | 4.5 ns | — |
| Propagation Delay | ±5 ns (matched) | — |
| جهد التغذية التشغيلي | [DATA_NEEDED: VCC range V] | — |
| Input Logic Compatibility | TTL / CMOS | 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) |
| UVLO Protection | Yes (integrated) | — |
| Output Stage | True low-impedance complementary rail-to-rail | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40 C to +150 C | -40C to +125C |
| العلبة | PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) | PG-VSON-10-4 |
| نوع التركيب | Surface Mount (SMD/SMT) | Surface Mount |
| Packaging | Cut Tape (Tape & Reel available) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| الوظيفة | — | Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET |
| Channel Type | — | Single |
| Driven Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VCC max value] |
| Common-Mode Voltage (CMR) | — | 200 V |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Propagation Delay (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tpd typical value] |
| Rise / Fall Time (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Reach | — | Compliant |