1EDN7511BXUSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDN7511BXUSA1 توسط Infineon و 1EDN7126GXTMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 1EDN7511BXUSA1 1EDN7126GXTMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Driver Type Low-Side, Single Channel —
Number of Drivers 1 —
تعداد خروجی‌ها 1 —
Configuration Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
Peak Source Current 4 A 1.5 A
Peak Sink Current 8 A 1.5 A
زمان صعود [DATA_NEEDED: rise time ns] —
زمان افت 4.5 ns —
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
ولتاژ تغذیه کاری [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
محدوده دمای کاری -40 C to +150 C -40C to +125C
بسته‌بندی PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-VSON-10-4
نوع نصب Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
عملکرد — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Reach — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت