1EDN7511BXUSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDN7511BXUSA1 tarafından Infineon ve 1EDN7126GXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDN7511BXUSA1 1EDN7126GXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Type Low-Side, Single Channel —
Number of Drivers 1 —
Çıkış Sayısı 1 —
Configuration Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
Peak Source Current 4 A 1.5 A
Peak Sink Current 8 A 1.5 A
Artış Süresi [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Düşüş Süresi 4.5 ns —
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
İşletim Besleme Gerilimi [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 C to +150 C -40C to +125C
Paket PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-VSON-10-4
Montaj Türü Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Fonksiyon — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Reach — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin