2ED2106S06FXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED2106S06FXUMA1 بواسطة Infineon و 1ED3124MC12HXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2ED2106S06FXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) High-side / Low-side (non-inverting)
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns —
عدد المخارج 2 (1 high-side, 1 low-side) 1
Number of Drivers 2 1
عدد الدبابيس 8 —
العلبة PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8 (DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
نوع الخرج Half-Bridge, Non-Inverting —
Channel Type — Single-channel
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
زمن الصعود — 15 ns
زمن السقوط — 30 ns
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر