2ED2106S06FXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2ED2106S06FXUMA1 द्वारा Infineon और 1ED3124MC12HXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 2ED2106S06FXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) High-side / Low-side (non-inverting)
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns —
आउटपुट की संख्या 2 (1 high-side, 1 low-side) 1
Number of Drivers 2 1
पिन की संख्या 8 —
पैकेज PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8 (DSO-8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
आउटपुट प्रकार Half-Bridge, Non-Inverting —
Channel Type — Single-channel
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
राइज़ टाइम — 15 ns
फॉल टाइम — 30 ns
ऑपरेटिंग तापमान — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET
RoHS स्थिति — Compliant

डेटाशीट और संसाधन

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