2ED2106S06FXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci 2ED2106S06FXUMA1 disebabkan oleh Infineon dan 1ED3124MC12HXUMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr 2ED2106S06FXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) High-side / Low-side (non-inverting)
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns —
Bilangan Output 2 (1 high-side, 1 low-side) 1
Number of Drivers 2 1
Bilangan Pin 8 —
Kemasan PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8 (DSO-8)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Gambaran Suhu Operasi -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Jenis Output Half-Bridge, Non-Inverting —
Channel Type — Single-channel
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
Masa Pertambahan — 15 ns
Masa jatuh — 30 ns
Suhu Operasi — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET
Status RoHS — Compliant

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga