2ED2106S06FXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2ED2106S06FXUMA1 tarafından Infineon ve 1ED3124MC12HXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2ED2106S06FXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) High-side / Low-side (non-inverting)
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns —
Çıkış Sayısı 2 (1 high-side, 1 low-side) 1
Number of Drivers 2 1
Pin Sayısı 8 —
Paket PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8 (DSO-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Çıkış Türü Half-Bridge, Non-Inverting —
Channel Type — Single-channel
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
Artış Süresi — 15 ns
Düşüş Süresi — 30 ns
İşletim Sıcaklığı — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin