2ED2106S06FXUMA1 vs IRS21834STRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED2106S06FXUMA1 بواسطة Infineon و IRS21834STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 2ED2106S06FXUMA1 | IRS21834STRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Offset Voltage (Voffset max) | 650 V | — |
| Configuration | High-Side and Low-Side (Half-Bridge) | Half-Bridge |
| Source Current (typ.) | 0.29 A | 1.9 A |
| Sink Current (typ.) | 0.7 A | 2.3 A |
| Input Logic Compatibility | CMOS, TTL | — |
| Propagation Delay (typ.) | 100 ns | 200 ns |
| عدد المخارج | 2 (1 high-side, 1 low-side) | — |
| Number of Drivers | 2 | 2 (high-side + low-side) |
| عدد الدبابيس | 8 | — |
| العلبة | PG-DSO-8-69 (DSO-8) | 14-SOIC (SOIC-14) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| نوع الخرج | Half-Bridge, Non-Inverting | — |
| Input Logic | — | Inverting, Non-Inverting with Shutdown |
| Maximum Offset Voltage (High-Side) | — | 600 V |
| Gate Drive Supply (VCC, VBS) | — | 10 V to 20 V |
| Delay Matching (max) | — | ±50 ns |
| Undervoltage Lockout (VCC, VBS) | — | Yes |
| Negative Transient Voltage Tolerance | — | dV/dt immune |
| مستوى MSL | — | 1 (unlimited) |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |