2ED2106S06FXUMA1 vs IRS21834STRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2ED2106S06FXUMA1 द्वारा Infineon और IRS21834STRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IRS21834STRPBF IRS21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS21834STRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 2ED2106S06FXUMA1 IRS21834STRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Half-Bridge
Source Current (typ.) 0.29 A 1.9 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 2.3 A
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns 200 ns
आउटपुट की संख्या 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
पिन की संख्या 8 —
पैकेज PG-DSO-8-69 (DSO-8) 14-SOIC (SOIC-14)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40C to +125C -40C to +125C
Packaging Tape & Reel —
आउटपुट प्रकार Half-Bridge, Non-Inverting —
Input Logic — Inverting, Non-Inverting with Shutdown
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Delay Matching (max) — ±50 ns
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) — Yes
Negative Transient Voltage Tolerance — dV/dt immune
MSL स्तर — 1 (unlimited)
RoHS स्थिति — Compliant
Lead-Free — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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