2ED2106S06FXUMA1 vs IRS21834STRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của 2ED2106S06FXUMA1 bằng Infineon và IRS21834STRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IRS21834STRPBF IRS21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS21834STRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số 2ED2106S06FXUMA1 IRS21834STRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Half-Bridge
Source Current (typ.) 0.29 A 1.9 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 2.3 A
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns 200 ns
Số lượng đầu ra 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
Số lượng chân 8 —
Hộp PG-DSO-8-69 (DSO-8) 14-SOIC (SOIC-14)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -40C to +125C -40C to +125C
Packaging Tape & Reel —
Kiểu đầu ra Half-Bridge, Non-Inverting —
Input Logic — Inverting, Non-Inverting with Shutdown
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Delay Matching (max) — ±50 ns
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) — Yes
Negative Transient Voltage Tolerance — dV/dt immune
Cấp MSL — 1 (unlimited)
Trạng thái RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá