2ED2106S06FXUMA1 vs IRS21834STRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2ED2106S06FXUMA1 توسط Infineon و IRS21834STRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ فعال
Infineon
IRS21834STRPBF IRS21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS21834STRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 2ED2106S06FXUMA1 IRS21834STRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Half-Bridge
Source Current (typ.) 0.29 A 1.9 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 2.3 A
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns 200 ns
تعداد خروجی‌ها 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
تعداد پین‌ها 8 —
بسته‌بندی PG-DSO-8-69 (DSO-8) 14-SOIC (SOIC-14)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
محدوده دمای کاری -40C to +125C -40C to +125C
Packaging Tape & Reel —
نوع خروجی Half-Bridge, Non-Inverting —
Input Logic — Inverting, Non-Inverting with Shutdown
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Delay Matching (max) — ±50 ns
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) — Yes
Negative Transient Voltage Tolerance — dV/dt immune
سطح MSL — 1 (unlimited)
وضعیت RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت