2ED2304S06FXUMA1 vs 2ED2304S06F مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED2304S06FXUMA1 بواسطة Infineon و 2ED2304S06F بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 2ED2304S06FXUMA1 | 2ED2304S06F |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Driver Configuration | Half-Bridge (High-Side + Low-Side) | — |
| Technology | Infineon thin-film SOI | Infineon thin-film SOI (Silicon-On-Insulator) |
| Blocking Voltage (High-Side) | 650 V | — |
| Source Current (typ.) | 0.36 A | 0.36 A |
| Sink Current (typ.) | 0.7 A | 0.7 A |
| Input Logic Compatibility | 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) | — |
| VCC Supply Range | 10 V to 17 V | — |
| Bootstrap Diode | Integrated (BSD) | — |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | Yes (VCC and VB-VS) | — |
| Interlock / Anti-Shoot-Through | Built-in | — |
| Propagation Delay (typ.) | 200 ns | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | — |
| العلبة | PG-DSO-8-910 (DSO-8) | PG-DSO-8-910 (DSO-8) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 2 | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Type | — | Half-Bridge Gate Driver IC |
| البنية الطوبولوجية | — | High-side + Low-side, half-bridge |
| Maximum Blocking Voltage (High-Side) | — | 650 V |
| Integrated Bootstrap Diode | — | Yes |
| Logic Input Compatibility | — | 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt trigger with hysteresis, pull-down) |
| Input Pins | — | LIN (low-side in), HIN (high-side in) |
| Shoot-Through Protection | — | Built-in interlock logic |
| عدد الأطراف | — | 8 |
| Target Power Devices | — | IGBTs and power MOSFETs |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |