2ED2304S06FXUMA1 vs 2ED2304S06F तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2ED2304S06FXUMA1 द्वारा Infineon और 2ED2304S06F द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
2ED2304S06F 2ED2304S06F - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2304S06F - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2304S06F ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06F
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Technology Infineon thin-film SOI Infineon thin-film SOI (Silicon-On-Insulator)
Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A 0.36 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 0.7 A
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) —
VCC Supply Range 10 V to 17 V —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB-VS) —
Interlock / Anti-Shoot-Through Built-in —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40C to +125C —
पैकेज PG-DSO-8-910 (DSO-8) PG-DSO-8-910 (DSO-8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 2 —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
टोपोलॉजी — High-side + Low-side, half-bridge
Maximum Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Logic Input Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt trigger with hysteresis, pull-down)
Input Pins — LIN (low-side in), HIN (high-side in)
Shoot-Through Protection — Built-in interlock logic
पिन काउंट — 8
Target Power Devices — IGBTs and power MOSFETs
ऑपरेटिंग तापमान — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

डेटाशीट और संसाधन

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