2ED2304S06FXUMA1 vs 2ED2304S06F Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2ED2304S06FXUMA1 tarafından Infineon ve 2ED2304S06F tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06F
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Technology Infineon thin-film SOI Infineon thin-film SOI (Silicon-On-Insulator)
Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A 0.36 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 0.7 A
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) —
VCC Supply Range 10 V to 17 V —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB-VS) —
Interlock / Anti-Shoot-Through Built-in —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40C to +125C —
Paket PG-DSO-8-910 (DSO-8) PG-DSO-8-910 (DSO-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 2 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Ağ Yapısı — High-side + Low-side, half-bridge
Maximum Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Logic Input Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt trigger with hysteresis, pull-down)
Input Pins — LIN (low-side in), HIN (high-side in)
Shoot-Through Protection — Built-in interlock logic
Pin Sayısı — 8
Target Power Devices — IGBTs and power MOSFETs
İşletim Sıcaklığı — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin