2ED2304S06FXUMA1 vs 2ED2304S06F مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2ED2304S06FXUMA1 توسط Infineon و 2ED2304S06F توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06F
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Technology Infineon thin-film SOI Infineon thin-film SOI (Silicon-On-Insulator)
Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A 0.36 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 0.7 A
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) —
VCC Supply Range 10 V to 17 V —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB-VS) —
Interlock / Anti-Shoot-Through Built-in —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
محدوده دمای کاری -40C to +125C —
بسته‌بندی PG-DSO-8-910 (DSO-8) PG-DSO-8-910 (DSO-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 2 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
توپولوژی — High-side + Low-side, half-bridge
Maximum Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Logic Input Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt trigger with hysteresis, pull-down)
Input Pins — LIN (low-side in), HIN (high-side in)
Shoot-Through Protection — Built-in interlock logic
تعداد پایه — 8
Target Power Devices — IGBTs and power MOSFETs
دمای کاری — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت