BSS308PEH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS308PEH6327XTSA1 بواسطة Infineon و 2N7002H6327XTSA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | BSS308PEH6327XTSA1 | 2N7002H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) | — |
| نوع الترانزستور | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -2 A (Ta) | 300 mA (Ta) |
| RDS(on) Max | 80 mΩ at VGS = -10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 500 mW (Ta) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C (Tj) |
| العلبة / الحالة | PG-SOT23 (SOT-23-3) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | 3 | — |
| Qualification | AEC-Q101 Automotive | Industrial / Commercial Grade |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Standard Reel Quantity | 3000 pcs | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Technology | — | OptiMOS (Planar) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 3 ohm max @ VGS = 10 V |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| العلبة | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | — | Yes |