BSS308PEH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS308PEH6327XTSA1 द्वारा Infineon और 2N7002H6327XTSA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSS308PEH6327XTSA1 | 2N7002H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -2 A (Ta) | 300 mA (Ta) |
| RDS(on) Max | 80 mΩ at VGS = -10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 500 mW (Ta) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C (Tj) |
| पैकेज / केस | PG-SOT23 (SOT-23-3) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन की संख्या | 3 | — |
| Qualification | AEC-Q101 Automotive | Industrial / Commercial Grade |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Standard Reel Quantity | 3000 pcs | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Technology | — | OptiMOS (Planar) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 3 ohm max @ VGS = 10 V |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| पैकेज | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | — | Yes |