BSS308PEH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS308PEH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور 2N7002H6327XTSA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS308PEH6327XTSA1 2N7002H6327XTSA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
ٹرانزسٹر کی قسم P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) 300 mA (Ta)
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C -55C to +150C (Tj)
پیکیج / کیس PG-SOT23 (SOT-23-3) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پنز کی تعداد 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive Industrial / Commercial Grade
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Technology — OptiMOS (Planar)
On-State Resistance (RDS(on)) — 3 ohm max @ VGS = 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
پیکیج — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Channel Mode — Enhancement
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں