BSS308PEH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSS308PEH6327XTSA1 bằng Infineon và 2N7002H6327XTSA2 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23

BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23

BSS308PEH6327XTSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSS308PEH6327XTSA1 2N7002H6327XTSA2
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
Kiểu transitor P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) 300 mA (Ta)
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 °C to +150 °C -55C to +150C (Tj)
Hộp / Vỏ PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số lượng chân 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive Industrial / Commercial Grade
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Technology — OptiMOS (Planar)
On-State Resistance (RDS(on)) — 3 ohm max @ VGS = 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Hộp — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Channel Mode — Enhancement
Cấp MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá