BSS308PEH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSS308PEH6327XTSA1 توسط Infineon و 2N7002H6327XTSA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSS308PEH6327XTSA1 2N7002H6327XTSA2
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
نوع ترانزیستور P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) 300 mA (Ta)
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
محدوده دمای کاری -55 °C to +150 °C -55C to +150C (Tj)
بسته‌بندی / کیس PG-SOT23 (SOT-23-3) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پین‌ها 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive Industrial / Commercial Grade
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Technology — OptiMOS (Planar)
On-State Resistance (RDS(on)) — 3 ohm max @ VGS = 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
بسته‌بندی — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Channel Mode — Enhancement
سطح MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت