BSS308PEH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci BSS308PEH6327XTSA1 disebabkan oleh Infineon dan 2N7002H6327XTSA2 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr BSS308PEH6327XTSA1 2N7002H6327XTSA2
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
Jenis Transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) 300 mA (Ta)
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
Gambaran Suhu Operasi -55 °C to +150 °C -55C to +150C (Tj)
Kemasan / Case PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Bilangan Pin 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive Industrial / Commercial Grade
Status RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Technology — OptiMOS (Planar)
On-State Resistance (RDS(on)) — 3 ohm max @ VGS = 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Kemasan — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Channel Mode — Enhancement
Aras MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga