H5CG48AGBDX018N vs K4RAH086VB-BIQK مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5CG48AGBDX018N بواسطة SK hynix و K4RAH086VB-BIQK بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5CG48AGBDX018N | K4RAH086VB-BIQK |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $87.42 | — |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb (2G x 8) | 16 Gb |
| التنظيم | 2G x 8 | 2G x 8 |
| معدل البيانات | 5600 Mbps | 4800 Mbps/pin |
| جهد التغذية | 1.1 V | — |
| Bus Width | 8 bit | — |
| العلبة | 82-ball FCBGA (JEDEC DDR5 78/82-ball) | 82FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| الواجهة | JEDEC DDR5 | DDR5 (CA reduced pin count) |
| Memory Generation | DDR5 (SK hynix A-die) | — |
| Clock Frequency | up to 5600 MHz (data rate 5600 Mbps) | — |
| Application Class | Computing, industrial controllers, embedded logging | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Core Supply Voltage | — | 1.1 V (nominal) |
| Configuration | — | X8 |
| Speed Grade | — | BIQK (-BIQK bin) |
| ECC | — | On-die ECC (DDR5 standard) |
| Burst Length | — | 16 / 32 |
| Operating Mode | — | DLL enabled |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |