H5CG48AGBDX018N vs K4RAH086VB-BIQK השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של H5CG48AGBDX018N מאת SK hynix ו K4RAH086VB-BIQK מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

SK hynix
H5CG48AGBDX018N H5CG48AGBDX018N - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | SK hynix

H5CG48AGBDX018N - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | SK hynix

H5CG48AGBDX018N ✓ פעיל
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר H5CG48AGBDX018N K4RAH086VB-BIQK
מותג SK hynix Samsung Electronics
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) $87.42 —
סוג זיכרון DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb (2G x 8) 16 Gb
ארגון 2G x 8 2G x 8
קצב נתונים 5600 Mbps 4800 Mbps/pin
מתח אספקה 1.1 V —
Bus Width 8 bit —
מארז 82-ball FCBGA (JEDEC DDR5 78/82-ball) 82FBGA
סוג הרכבה Surface Mount —
טמפרטורת פעולה -40C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
ממשק JEDEC DDR5 DDR5 (CA reduced pin count)
Memory Generation DDR5 (SK hynix A-die) —
Clock Frequency up to 5600 MHz (data rate 5600 Mbps) —
Application Class Computing, industrial controllers, embedded logging —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA)
רמת MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Core Supply Voltage — 1.1 V (nominal)
Configuration — X8
Speed Grade — BIQK (-BIQK bin)
ECC — On-die ECC (DDR5 standard)
Burst Length — 16 / 32
Operating Mode — DLL enabled
השהיית CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate specification]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר