H5CG48AGBDX018N vs K4RAH086VB-BIQK तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5CG48AGBDX018N द्वारा SK hynix और K4RAH086VB-BIQK द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5CG48AGBDX018N H5CG48AGBDX018N - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | SK hynix

H5CG48AGBDX018N - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | SK hynix

H5CG48AGBDX018N ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5CG48AGBDX018N K4RAH086VB-BIQK
ब्रांड SK hynix Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) $87.42 —
मेमोरी प्रकार DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb (2G x 8) 16 Gb
संगठन 2G x 8 2G x 8
डेटा दर 5600 Mbps 4800 Mbps/pin
सप्लाई वोल्टेज 1.1 V —
Bus Width 8 bit —
पैकेज 82-ball FCBGA (JEDEC DDR5 78/82-ball) 82FBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
इंटरफ़ेस JEDEC DDR5 DDR5 (CA reduced pin count)
Memory Generation DDR5 (SK hynix A-die) —
Clock Frequency up to 5600 MHz (data rate 5600 Mbps) —
Application Class Computing, industrial controllers, embedded logging —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA)
MSL स्तर [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Core Supply Voltage — 1.1 V (nominal)
Configuration — X8
Speed Grade — BIQK (-BIQK bin)
ECC — On-die ECC (DDR5 standard)
Burst Length — 16 / 32
Operating Mode — DLL enabled
CAS लेटेंसी — [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate specification]

डेटाशीट और संसाधन

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